Новости в области компьютерных систем
29 сентября 2003
Новый технологический прорыв — компания Samsung объявляет о создании 4Gigabit NAND, передовой нанометрической технологии обработки и концептуально нового решения Fusion Memory
Сеул, Корея

Компания Samsung Electronics Co., Ltd., мировой лидер в передовой технологии полупроводниковой памяти, объявила о создании целого вектора изделий следующего поколения. Новые разработки станут ответом на быстро меняющееся цифровое окружение. Используя в качестве рычагов свое лидерство в проектировании и производстве, Samsung анонсировал первую в мире флэш память 70 nm 4Gb NAND и устройство DRAM 80 nm. Кроме того, компания объявила о создании одночипового устройства памяти, так называемой fusion memory (слитной памяти), при помощи которой концепция мультичиповой упаковки и «система-в-упаковке» делает шаг вперед на пути предоставления единого дизайна, сочетающего память и логику.


«Стратегия компании Samsung предусматривает объемные инвестиции в дизайн и производственные технологии следующего поколения, а это дает, в свою очередь, возможность создавать уникальный портфольо передовых устройств памяти, разработка которых должна ответить на вызов конвергенции и обеспечить мобильность на цифровом рынке завтрашнего дня», сказал Доктор Чанг Гю Хванг, Президент подразделения устройств памяти в компании Samsung. «В результате цифровой конвергенции на потребительских рынках мобильных и цифровых устройств к отдельно стоящим компонентам памяти предъявляются жесткие требования и передовые решения памяти от Samsung будут играть ключевую роль обеспечения для новых поколений цифровой продукции».

Флэш память 4Gb NAND в технологии обработки 70nm
Представляемая Samsung первая в мире флэш память 4Gb NAND является четвертым поколением этих устройств. Динамика развития показывает, что каждые двенадцать месяцев происходит удвоение плотности: 256Mb в 1999, 512Mb в 2000, 1Gb в 2001, 2Gb в 2002, и 4Gb в 2003. Разработка 4Gb NAND флэш памяти вновь демонстрирует тот большой потенциал роста, которым обладает технология NAND.

При новых, более высоких уровнях плотности, обеспечение постоянства памяти становится ключевым элементом для сохранения данных, заступая на смену магнитным лентам и драйверам жесткого диска с низкой плотностью. К сфере применения флэш NAND относятся, в том числе, мобильные приложения, среди которых ноутбуки, небольшие ПК, мобильные телефоны, плееры MP3 и КПК, для которых имеются ограничения по размерам, весу и энергопотреблению.

В флэш памяти Samsung 4Gb NAND использована схема 70nm, таким образом открываются возможности для создания сот с самыми маленькими размерами в 0.025um2. Впервые в промышленности флэш 4Gb NAND оснащена вольфрамовым элементом 300 ангстрем для сокращения внутрисотового сопротивление, уровня шума, и для обеспечения большей результативности в системах мульти-гигабитовой памяти. Компания Samsung рассчитывает, что новый вольфрамовый элемент будет применяться в конструкциях с параметрами до 50nm.

Схема 70nm создает новые возможности для экономии пространства. Сравнение характеристик новой схемы 70nm и предыдущей в 90nm убедительно демонстрирует рост производительности на 50 процентов.

Согласно прогнозам, на всемирном рынке флэш памяти NAND ожидается скачок от $3 миллиардов в 2003 до $16 миллиардов к 2007, то есть более чем пятикратное увеличение за четыре года. Samsung планирует сохранить лидерство на рынке флэш памяти NAND с рыночной долей в 65% и намерен достичь годового роста продаж флэш памяти NAND на 70 процентов, от $400 миллионов в 2001 году, $1.1 миллиарда в 2002 и так далее.

DRAM in 80nm Process Technology
В области технологии DRAM компания Samsung анонсировала монолитный 80nm 512Mb. В новом устройстве применена технология Recess Channel Array Transistor (RCAT) для улучшения характеристики обновления данных. Внедрение узла 80nm для DRAM открывает дорогу для трехмерной технологии, занимаемая площадь меньше по сравнению с линейной структурой соты. Технология RCAT минимизирует размеры ячейки за счет создания трехмерного транзистора — на пару для каждого конденсатора в микросхеме DRAM, что значительно увеличивает плотность. В новом DRAM применены вольфрамовые «ворота» с низким сопротивлением для обеспечения наибольшей производительности и более низкой температуры, а также высокооксидная обработка для напряжения ниже 1.5V, стандартная характеристика для DDR3 DRAM.

Массовое производство передовой технологии начнется с уровня плотности от 1Gb до 512Mb при 3Gigabit в секунду и еще больших скоростях.

Fusion Memory
Дополнительно к новой флэш памяти 4Gb NAND и 80nm DRAM, заявлена еще одна концептуально новая разработка под названием Fusion Memory.

Речь идет об интегрированном «сингл» чипе, в котором скомбинированы память высокой плотности и логика с возможностями программного обеспечения. Первым устройством на базе Fusion memory стала флэш память 512Mb NAND с логическим интерфейсом, (умещается на одном кусочке силикона) под названием OneNAND. Новинка снизит расходы системного производителя, а также сократит временной промежуток до выхода на рынок, поскольку отпадет необходимость оптимизации системного окружения вокруг флэш памяти NAND. По прогнозам Samsung, новая Fusion технология станет определяющим фактором для использования систем формата NAND в качестве замены комбинации NOR флэш + память в приложениях с повышенными требованиями к обработке большого количества данных.